Modelo de Producto

H5MS1G62DMR-J3M-C

Introducción

Este circuito integrado (CI) especializado desarrollado por Hynix Semiconductor se centra en mejorar la gestión de memoria y la eficiencia del procesamiento.

Marca y Fabricante

Hynix Semiconductor

Características

Utiliza tecnología de memoria avanzada, optimizado para la transferencia de datos de alta velocidad, bajo consumo de energía, robusta capacidad de corrección de errores.

Rendimiento del Producto

Interfaz de memoria de alta velocidad, rendimiento superior de lectura/escritura a frecuencias elevadas, operaciones de baja latencia, estable en diversas condiciones de operación.

Especificaciones Técnicas

Tipo de memoria: DDR SDRAM, Densidad: 1 Gb, Tasa de reloj: 400 MHz, Configuración de I/O: SSTL_2, Voltaje de suministro: 1.8V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Tipo de paquete: FBGA, Dimensiones: 11mm x 18mm x 1.2mm, Número de pines: 60, Embalaje en carrete para pedidos al por mayor.

Calidad y Fiabilidad

Cumple con rigurosos estándares de fiabilidad de la industria, operación extendida probada en una variedad de rangos de temperatura.

Ventajas del Producto

Solución de almacenamiento de memoria de alta densidad, rentable para producción en masa, durabilidad mejorada y larga vida útil operativa.

Competitividad del Producto

Compite favorablemente en mercados que requieren un alto ancho de banda de memoria, ideal para aplicaciones que demandan durabilidad prolongada y operación continua.

Compatibilidad

Diseñado para ser compatible con una amplia gama de dispositivos habilitados para DDR.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares regulatorios de RoHS y REACH, cumplimiento del estándar JEDEC.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida útil operativa, componentes ecológicos que contribuyen a la reducción de residuos electrónicos.

Campos de Aplicación Real

Utilizado predominantemente en sistemas de telecomunicaciones, sistemas embebidos y plataformas de computación de alto rendimiento, electrónica de consumo que requiere soluciones de memoria de alta velocidad.

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